什么时候电场强度最小_什么时候电场强度为零-上海靖鼎邦网络科技有限公司

...其方法专利,可远程测量绝缘子周围工频电场强度使操作人员检测更安全待测场强获取模块、场强对比模块、输出模块；通过参考状态获取模块基于输电线路施工图纸建模，分解实体模型获得子模型，计算获得每片绝缘子参考场强曲线；通过图像获取模块、图像分析模块、外观对比模块进行瓷绝缘子串的外观检测，进而通过待测场强获取模块、场强对比模块对外是什么。

清华大学申请高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统专利,...金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“一种高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统“公开号CN117574753A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及一种高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统，包括以下步骤：获取待分说完了。

...栅晶体管制造方法专利,降低沟槽栅晶体管的栅介质层所承受的电场强度第一沟槽的内表面配置有绝缘介质膜，并填充有导电介质，第二沟槽中填充有绝缘介质，在第一外延层中的第二沟槽的底部周围形成有第二导电类型的扩展区域。根据上述碳化硅沟槽栅晶体管，可以降低沟槽栅晶体管的栅介质层所承受的电场强度，同时不会较大影响晶体管的正向电流导通能后面会介绍。

...技术能使半导体功率器件承受较高的电场强度,使用寿命长,可靠性好第二阱区，每个所述第一阱区与所述第二阱区之间具有间隙，每个所述间隙构成一个所述JFET区，每个所述JFET区在所述衬底上的正投影为圆环形，且每个所述圆环形的环宽相等。该半导体功率器件的结构中不存在击穿薄弱点，可以承受较高的电场强度，使用寿命长，可靠性好。本文源自金融还有呢？

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...制备方法专利,通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度以在衬底中形成凹槽；以及，去除第一氧化层，执行热氧化工艺形成第二氧化层填充凹槽且延伸覆盖衬底的表面，以凹槽中的第二氧化层作为氧化隔离块，氧化隔离块位于栅极两侧的衬底内；本发明通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度，改善热载流子效应。本文源自金融界

...方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度,减缓了电场强度并改善了漏电并利用离子的散射在有源区靠近字线的侧边形成离子再注入扩散区域。本发明通过接触窗中狭窄的未覆盖区域注入离子，形成离子再注入区域和离子再注入扩散区域，在不影响位线接点的电流路径及阻值的前提下，降低了有源区原始掺杂的浓度，减缓了电场强度并改善了漏电。本文源自金后面会介绍。

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晶合集成申请LDMOS器件及其制备方法专利,优化并降低电场分布强度,...且介质层覆盖衬底、栅极结构和阻挡结构；阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层，场板从上至下依次贯通介质层、第二阻挡层和多晶硅层，并伸入第一阻挡层中。本发明通过阻挡结构与场板结构整合，可以优化并降低电场分布强度，并提高击穿电压。本说完了。

...股份取得三级分裂环谐振式气体传感器专利,提升谐振器内电场的强度该实用新型通过引入叉指电容，使开口谐振环的电容区进一步扩大为包含分裂间隙在内的整个耦合区域，因此，在有限的器件尺寸下分裂间隙数量的增多产生强耦合，提升了谐振器内电场的强度，另外，两个开口谐振环组合形成的形状与圆环段匹配，相比于直线状，可以增强耦合效应，提升品质因小发猫。

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华联电子取得电场与红外融合的手势识别装置专利,提高了手势识别的...本实用新型涉及一种电场与红外融合的手势识别装置，包括PCB和PCB上安装的电极、电场传感器、红外传感器阵列及信号处理模块；电极用于生成电场；电场传感器与电极电连接，用于测量电场强度；红外传感器阵列可产生红外光并检测到红外光强度的变化，设置于PCB四周边沿；信号处理等会说。

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高压电缆局部放电监测装置:及时发现和应对电缆故障什么是电缆局部放电当高压电缆的绝缘体中存在缺陷、破损、老化等问题时，电场强度会超过绝缘强度，导致部分区域放电，这就是电缆局部放电等会说。到达时刻等)上传至监测主机，实现局部放电实时在线监测。2、功能特点高压电缆局部放电监测装置可以随时监测电缆是否存在局部放电现象以等会说。

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