什么时候电场强度为零_什么时候电场强度相同

...其方法专利,可远程测量绝缘子周围工频电场强度使操作人员检测更安全待测场强获取模块、场强对比模块、输出模块;通过参考状态获取模块基于输电线路施工图纸建模,分解实体模型获得子模型,计算获得每片绝缘子参考场强曲线;通过图像获取模块、图像分析模块、外观对比模块进行瓷绝缘子串的外观检测,进而通过待测场强获取模块、场强对比模块对外后面会介绍。

清华大学申请高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统专利,...金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,清华大学申请一项名为“一种高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统“公开号CN117574753A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及一种高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统,包括以下步骤:获取待分小发猫。

高压电缆局部放电监测装置:及时发现和应对电缆故障什么是电缆局部放电当高压电缆的绝缘体中存在缺陷、破损、老化等问题时,电场强度会超过绝缘强度,导致部分区域放电,这就是电缆局部放电等我继续说。 到达时刻等)上传至监测主机,实现局部放电实时在线监测。2、功能特点高压电缆局部放电监测装置可以随时监测电缆是否存在局部放电现象以等我继续说。

扬杰科技申请一项名为《一种提高栅氧可靠性的沟槽型 SiCMOSFET ...提高栅氧可靠性的沟槽型SiCMOSFET 及其制备方法“公开号CN202410623587.5,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示,本发明采用互联双沟槽结构,第一沟槽深度大,电场线会优先集中在第一沟槽底部和拐角处,且第一沟槽内部隔离介质可以承受更大的电场强度。本文源自金融界

扬杰科技取得碳化硅半导体器件及加工方法专利,避免打火现象提供了一种降低测试时的空气电场强度,避免打火现象的一种碳化硅半导体器件及加工方法。本发明制作的过程不增加工艺复杂度和制造成本,形成的划片道P 区器件结构由于远离终端,反向高压甚至雪崩状态时几乎不影响器件的终端截止效率。同时,在反向加压时,尤其是加到1000V 以上还有呢?

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